大家好,小勉来为大家解答以上的问题。mocvd，mocvd这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

2、MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

3、MOCVD的组成：因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。

4、因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。

5、不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。

6、 一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。

7、以上内容参考：百度百科—MOVCDMOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文缩写。

8、MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

9、通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。

10、 MOCVD技术具有下列优点: (l)适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体; (2)非常适合于生长各种异质结构材料; (3)可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡; (4)生长易于控制; (5)可以生长纯度很高的材料; (6)外延层大面积均匀性良好; (7)可以进行大规模生产。

11、 MOCVD系统组成 因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。

12、因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。

13、不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的，但一般来说,MOCVD设备是由源供给系统、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。

14、谢谢 请采纳是一种利用有机金属分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。

15、优点如下：沉积温度低、不采用卤化物原料，因此在沉积中不存在刻蚀反应，适合大批量生产，可直接生长出绒面结构的zno薄膜，能有效增加入射光的光程，对太阳光谱起到良好的陷光作用。

16、缺点如下：许多有机金属化合物蒸汽有毒、易燃，反应温度低，因此有时在气相中就发生反应。

本文到此分享完毕，希望对大家有所帮助。